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四氯化4碳與氟化1氫的反應(yīng)在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行，四氟化碳?xì)怏w價(jià)格，反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過冷凍，四氟化碳公司，用硅膠除去氣體中的水分經(jīng)精餾而得成品。對(duì)于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45:1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。

對(duì)于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。四氟化碳在不同的大氣壓下呈現(xiàn)的狀態(tài)是不同的，四氟化碳生產(chǎn)廠家，就像氧氣在101kPa時(shí)會(huì)呈現(xiàn)出液態(tài)。四氟化碳是無色、無臭、不燃的可壓縮性氣體，發(fā)揮性較高.預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉，置于鎳盤中，邯鄲四氟化碳，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中，向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣，氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。

四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子燭刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純陽(yáng)氧氣的混合體，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的燭刻。在電子器件表面清洗、太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。由于化學(xué)穩(wěn)定性極強(qiáng)，CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業(yè)等。

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